原子层沉积(ALD)是一种薄膜生长技术，能够为电子器件(电源和射频)沉积无针孔和均匀的绝缘体薄膜。ALD在高长宽比沟槽和通孔结构上提供了优异的保形性，在角级的厚度控制，以及基于连续、自限性反应的可调整薄膜成分。Samco提供高度灵活的开放式热ALD系统AL-1和负载锁定等离子体增强ALD系统AD-230LP。 ALD设备 AD-10P 无针孔薄膜沉积 等离子体强化的ALD设备 AD-800LP 卓越的重复性和稳定性 等离子体强化的ALD设备 AD-800LP 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是通过将活性气体变成等离子体状态，在目标基材上产生活性自由基和离子，使目标基材发生化学反应而形成薄膜的技术。在化合物半导体和硅半导体的制造过程中，用于沉积作为钝化膜的氮化硅薄膜（SiN）和作为层间绝缘膜的氧化硅薄膜（SiO₂）。 等离子体增强型CVD设备 PD-2201LC 节省空间的生产设备 等离子体增强型CVD设备 PD-2201LC 等离子体增强型CVD设备 PD-220NL 紧凑的研发用负载锁定系统 等离子体增强型CVD设备 PD-220NL 等离子体增强型CVD设备 PD-3800L 基于托盘的批量处理 等离子体增强型CVD设备 PD-3800L 等离子体增强型CVD设备 PD-220N 紧凑的机身，节省空间的设计

等离子体增强型CVD设备 PD-220N Samco独特的液态源CVD™系统使用自偏置沉积技术和液态TEOS源来沉积低应力的SiO2薄膜，从薄膜到极厚的薄膜（高达100 µm）。 液体原料CVD设备 PD-200STL 负载锁定系统，最高可达200毫米 液体原料CVD设备 PD-200STL 负载锁定系统，最高可达200毫米 液体原料CVD设备 PD-270STLC 低温厚膜沉积生产设备 液体原料CVD设备 PD-270STLC 液体原料CVD设备 PD-330STC 沉积物高达ø300 mm 液体原料CVD设备 PD-330STC 液体原料CVD设备 PD-100ST 开放式研发设备 液体原料CVD设备 PD-100ST Request more information